Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $4.57 |
10+ | $4.102 |
100+ | $3.3609 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 22-VSON-CLIP (5x6) |
Serie | NexFET™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 30A, 10V |
Leistung - max | 12W |
Verpackung / Gehäuse | 22-PowerTFDFN |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 12400pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | - |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | - |
Konfiguration | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Grundproduktnummer | CSD88584Q5 |
CSD88584Q5DCT Einzelheiten PDF [English] | CSD88584Q5DCT PDF - EN.pdf |
EVAL MODULE FOR CSD87588N
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
TI QFN12
IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON
TI QFN
MOSFET 2 N-CH 60V 22-VSON-CLIP
MOSFET 2N-CH 60V 22-VSON-CLIP
IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12VSON
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
MOSFET 2N-CH 30V 25A 5PTAB
MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
PROTOTYPE
MOSFET 2 N-CH 40V 22-VSON-CLIP
CSD95372BQ5M QFN12 TI
IC HALF BRIDGE DRIVER 60A 12LSON
PROTOTYPE
TI SOIC8
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() CSD88584Q5DCT |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|